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技术文档
型号
K7D803671B-HC25
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K7D803671B-HC25
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR SRAM, 256KX36, 0.25ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, BGA-153
起订量
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K7D803671B-HC25详情
技术参数
Samsung K7D803671B-HC25重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
153
Package Description
BGA, BGA153,9X17,50
Package Style
网格排列
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA153,9X17,50
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.25 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
250 MHz
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.81
Part Package Code
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B153
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.63 V
电源
1.5,2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.37 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.6 mA
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.21 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.15 A
记忆密度
9437184 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
宽度
14 mm
长度
22 mm
K7D803671B-HC25拓展信息
公司资质
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