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技术文档
型号
K7I163682B-FC25
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K7I163682B-FC25
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
起订量
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K7I163682B-FC25详情
技术参数
Samsung K7I163682B-FC25重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
165
RoHS
Non-Compliant
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Reflow Temperature-Max (s)
40
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
250 MHz
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.86
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.55 mA
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.18 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
宽度
13 mm
长度
15 mm
K7I163682B-FC25拓展信息
公司资质
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