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技术文档
型号
K7I321882C-FC30T
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K7I321882C-FC30T
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
LBGA, BGA165,11X15,40
起订量
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K7I321882C-FC30T详情
技术参数
Samsung K7I321882C-FC30T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
165
Package Description
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
300 MHz
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.92
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
3A991.B.2.A
连接器类型
Single Row and Tri-Barrier
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
端子间距
7.62mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
极数
27
电源电流-最大值
0.65 mA
组织结构
2MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.28 A
记忆密度
37748736 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
额定电压
250V
额定电流(功率)
10A
宽度
15 mm
长度
17 mm
K7I321882C-FC30T拓展信息
公司资质
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