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技术文档
型号
K7J161882B-FC16
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K7J161882B-FC16
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K7J161882B-FC16 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K7J161882B-FC16详情
技术参数
Samsung K7J161882B-FC16重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
165
Access Time-Max
0.5 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
166.66 MHz
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Manufacturer
三星半导体
Manufacturer Part Number
Number of Words
1048576 words
Number of Words Code
1000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LBGA
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
BGA
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.91
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.35 mA
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.14 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
长度
15 mm
宽度
13 mm
K7J161882B-FC16拓展信息
公司资质
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