注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
K8P6415UQB-PI4B0
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K8P6415UQB-PI4B0
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K8P6415UQB-PI4B0 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
K8P6415UQB-PI4B0详情
技术参数
Samsung K8P6415UQB-PI4B0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
TSOP1, TSSOP48,.8,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
60 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
4194304 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
无铅代码
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.055 mA
组织结构
4MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00003 A
记忆密度
67108864 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
数据轮询
拨动位
命令用户界面
扇区/尺寸数
16,126
行业规模
4K,32K
页面尺寸
8 words
准备就绪/忙碌
引导模块
BOTTOM/TOP
通用闪存接口
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
达到SVHC
unknown
K8P6415UQB-PI4B0拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)