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技术文档
型号
K9F3208W0A-TIB0
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K9F3208W0A-TIB0
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K9F3208W0A-TIB0 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K9F3208W0A-TIB0详情
技术参数
Samsung K9F3208W0A-TIB0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
40
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP40/44,.46,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Part Package Code
TSOP2
Risk Rank
5.91
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
4194304 words
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
CONTAINS ADDITIONAL 128K X 8 BIT NAND FLASH
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
3/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
4MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
33554432 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
数据轮询
NO
拨动位
命令用户界面
扇区/尺寸数
512
行业规模
8K
页面尺寸
512 words
准备就绪/忙碌
宽度
10.16 mm
长度
18.41 mm
K9F3208W0A-TIB0拓展信息
公司资质
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