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技术文档
型号
KFG1G16U2B-DIB60
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KFG1G16U2B-DIB60
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
VFBGA, BGA63,8X12,32
起订量
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KFG1G16U2B-DIB60详情
技术参数
Samsung KFG1G16U2B-DIB60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
63
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
BGA
Package Description
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA63,8X12,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
76 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
VFBGA
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
附加功能
SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
组织结构
64MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00008 A
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
数据轮询
NO
拨动位
命令用户界面
扇区/尺寸数
1K
行业规模
64K
页面尺寸
1K words
准备就绪/忙碌
宽度
10 mm
长度
13 mm
达到SVHC
unknown
KFG1G16U2B-DIB60拓展信息
公司资质
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