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技术文档
型号
KFH4G16Q2A-DEB80
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KFH4G16Q2A-DEB80
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
KFH4G16Q2A-DEB80 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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KFH4G16Q2A-DEB80详情
技术参数
Samsung KFH4G16Q2A-DEB80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
63
Package Description
TFBGA, BGA63,10X12,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA63,10X12,32
Operating Temperature-Min
-30 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
76 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.7
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
可进行同步突发模式操作
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
组织结构
256MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
4294967296 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
数据轮询
NO
拨动位
命令用户界面
扇区/尺寸数
4K
行业规模
64K
页面尺寸
1K words
准备就绪/忙碌
宽度
10 mm
长度
13 mm
KFH4G16Q2A-DEB80拓展信息
公司资质
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