注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
KFM1216Q2B-DEB80
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KFM1216Q2B-DEB80
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
KFM1216Q2B-DEB80 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
KFM1216Q2B-DEB80详情
技术参数
Samsung KFM1216Q2B-DEB80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
63
Package Description
VFBGA, BGA63,10X12,32
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA63,10X12,32
Operating Temperature-Min
-30 °C
Access Time-Max
76 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
32MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
数据轮询
NO
拨动位
命令用户界面
扇区/尺寸数
512
行业规模
64K
页面尺寸
1K words
准备就绪/忙碌
宽度
9.5 mm
长度
12 mm
达到SVHC
compliant
KFM1216Q2B-DEB80拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)