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技术文档
型号
KFM2G16Q2A-DEB80
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KFM2G16Q2A-DEB80
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
KFM2G16Q2A-DEB80 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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KFM2G16Q2A-DEB80详情
技术参数
Samsung KFM2G16Q2A-DEB80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
63
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.84
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
VFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
134217728 words
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Min
-30 °C
Package Equivalence Code
BGA63,10X12,32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
128000000
Moisture Sensitivity Levels
3
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Package Description
VFBGA, BGA63,10X12,32
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
128MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
2147483648 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
数据轮询
NO
拨动位
命令用户界面
扇区/尺寸数
2K
行业规模
64K
页面尺寸
1K words
准备就绪/忙碌
长度
13 mm
宽度
10 mm
KFM2G16Q2A-DEB80拓展信息
公司资质
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