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技术文档
型号
KM4132G112QC
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KM4132G112QC
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
KM4132G112QC datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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KM4132G112QC详情
技术参数
Samsung KM4132G112QC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
100
Mounting Styles
固定式
Range
SACE Tmax XT
RoHS
Non-Compliant
Package Description
QFP, QFP100,.7X.9
Package Style
FLATPACK
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP100,.7X.9
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
KM4132G112Q-C
Clock Frequency-Max (fCLK)
183 MHz
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
QFP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.9
Part Package Code
系列
XT1C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
额定电流
160A
引脚数量
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
极数
3
电源电流-最大值
0.27 mA
组织结构
1MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
33554432 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步图形存储器
刷新周期
2048
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
4,8
访问模式
双库页面突发
宽度
14 mm
长度
20 mm
达到SVHC
unknown
KM4132G112QC拓展信息
公司资质
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