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技术文档
型号
KM416C1204CJ-L5
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KM416C1204CJ-L5
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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KM416C1204CJ-L5详情
技术参数
Samsung KM416C1204CJ-L5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
42
Manufacturer
ABB
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOJ
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
SOJ, SOJ42,.44
Package Style
小概要
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOJ42,.44
Access Time-Max
50 ns
Risk Rank
5.54
Part Package Code
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-J42
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.14 mA
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.76 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0002 A
记忆密度
16777216 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
1024
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
自我刷新
宽度
10.16 mm
长度
27.31 mm
达到SVHC
unknown
KM416C1204CJ-L5拓展信息
公司资质
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