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技术文档
型号
KM41C256J-10
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KM41C256J-10
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Integrated Circuit Memory 41256/KM41C256J/10 SAMSUNG DRAM KX4=256
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KM41C256J-10详情
技术参数
Samsung KM41C256J-10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
18
Access Time-Max
100 ns
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Manufacturer
三星半导体
Manufacturer Part Number
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
QCCJ
Package Description
QCCJ, LCC18,.3X.5
Package Equivalence Code
LCC18,.3X.5
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
LCC
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.86
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PQCC-J18
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
组织结构
256KX1
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.56 mm
内存宽度
记忆密度
262144 bit
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
快速页面 DRAM
刷新周期
256
访问模式
快速页面
长度
12.445 mm
宽度
7.366 mm
KM41C256J-10拓展信息
公司资质
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