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技术文档
型号
KM49C512BLLJ-7
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KM49C512BLLJ-7
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
SOJ, SOJ28,.44
起订量
1最小包装量--
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KM49C512BLLJ-7详情
技术参数
Samsung KM49C512BLLJ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
28
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5V±0.075V
Package Description
Package Style
小概要
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOJ28,.44
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Number of Words
524288 words
Package Code
SOJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.91
Part Package Code
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
DDR3 SDRAM
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-J28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
速度
667 / 800 / 933 / 1066 MHz
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.07 mA
组织结构
128Mbitx8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.76 mm
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.00015 A
记忆密度
1Gb
I/O类型
COMMON
内存IC类型
快速页面 DRAM
刷新周期
1024
访问模式
快速页面
自我刷新
温度
C-temp, I-temp/ Automotive
宽度
10.16 mm
长度
18.415 mm
KM49C512BLLJ-7拓展信息
公司资质
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