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技术文档
型号
KM68V1002BJI-10
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KM68V1002BJI-10
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
KM68V1002BJI-10 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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KM68V1002BJI-10详情
技术参数
Samsung KM68V1002BJI-10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
32
Package Description
SOJ, SOJ32,.44
Package Style
小概要
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOJ32,.44
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
10 ns
Part Package Code
SOJ
Risk Rank
5.32
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
131072 words
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
85 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.15 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.76 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
宽度
10.16 mm
长度
20.96 mm
KM68V1002BJI-10拓展信息
公司资质
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