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技术文档
型号
KM736V689AT-67
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KM736V689AT-67
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
KM736V689AT-67 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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KM736V689AT-67详情
技术参数
Samsung KM736V689AT-67重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
100
Part Package Code
QFP
Risk Rank
5.92
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
LQFP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
65536 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
149 MHz
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
3.8 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
QFP100,.63X.87
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
64000
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE
Package Description
LQFP, QFP100,.63X.87
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
SELF-TIMED WRITE CYCLE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.32 mA
组织结构
64KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.02 A
记忆密度
2359296 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
缓存SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
长度
20 mm
宽度
14 mm
达到SVHC
unknown
KM736V689AT-67拓展信息
公司资质
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