KM79C86-19
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Samsung KM79C86-19

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型号

KM79C86-19

品牌

Samsung

utmel 编号

2107-KM79C86-19

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

QCCJ,

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1最小包装量--

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KM79C86-19
KM79C86-19 Samsung QCCJ,

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KM79C86-19详情

Samsung KM79C86-19重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    44

  • Operating Temperature-Max

    150

  • Forward Voltage-Max (VF)

    .62

  • Package Description

    QCCJ,

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Number of Words Code

    32000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Access Time-Max

    19 ns

  • Manufacturer Part Number

    KM79C86-19

  • Number of Words

    32768 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    QCCJ

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    三星半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.84

  • Part Package Code

    LCC

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 附加功能

    REGISTERED INPUT; BURST COUNTER

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 技术

    SCHOTTKY

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    J BEND

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    44

  • JESD-30代码

    S-PQCC-J44

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 端口的数量

    1

  • 二极管类型

    接收电极

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 输出电流-最大值

    60

  • 组织结构

    32KX9

  • 座位高度-最大

    4.57 mm

  • 内存宽度

    9

  • Rep Pk反向电压-最大值

    80

  • 记忆密度

    294912 bit

  • 最大非代表Pk前进电流

    500

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    缓存SRAM

  • 输出启用

    YES

  • 宽度

    16.5862 mm

  • 长度

    16.5862 mm

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KM79C86-19拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS