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技术文档
型号
KM79C86J-19
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-KM79C86J-19
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
KM79C86J-19 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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KM79C86J-19详情
技术参数
Samsung KM79C86J-19重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
44
Package Description
QCCJ, LDCC44,.7SQ
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC44,.7SQ
Access Time-Max
19 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
32768 words
Package Code
QCCJ
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
LCC
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Risk Rank
5.92
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
S-PQCC-J44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.18 mA
组织结构
32KX9
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.57 mm
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.05 A
记忆密度
294912 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
缓存SRAM
待机电压-最小值
输出启用
长度
16.5862 mm
宽度
KM79C86J-19拓展信息
公司资质
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