注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
M470L2923DV0-CB3
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-M470L2923DV0-CB3
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
M470L2923DV0-CB3 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
M470L2923DV0-CB3详情
技术参数
Samsung M470L2923DV0-CB3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
200
RoHS
Compliant
Package Description
DIMM, DIMM200,24
Package Style
微电子组件
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Equivalence Code
DIMM200,24
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.7 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
MODULE
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.6 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-XDMA-N200
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
3.24 mA
组织结构
128MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.08 A
记忆密度
8589934592 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
访问模式
双库页面突发
自我刷新
YES
达到SVHC
compliant
M470L2923DV0-CB3拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)