注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
SSP6N60
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-SSP6N60
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...
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SSP6N60详情
技术参数
Samsung SSP6N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 5 months ago)
终端数量
3
Number of Elements
1
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
125 W
功率耗散
连续放电电流(ID)
6 A
漏源电阻
1.8 Ω
最小击穿电压
600 V
SSP6N60拓展信息
公司资质
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