Samsung Semiconductor BU508AF

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Gross weight

8.05

Transport packaging size/quantity

42*28*23.5/2000

Noal resistance

1 MOhmin

Shaft length

L - 20 mm

Wear resistance

15000 cycles

Dielectric strength

250 (50 Hz / 1 min.) V

Nominal dissipation power

0.125 W

Maximum working voltage

150 V

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

ECCN 代码

EAR99

类型

Variable resistor (potentiometer) series 16K1

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

深度

30 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

34 W

Rotation angle

300 ±10% °

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

2.25

集电极-发射器电压-最大值

700 V

VCEsat-最大值

1 V

环境耗散-最大值

60 W

特征

carbon resistive element, shaft type - KC

高度

24.95 mm

宽度

16.9 mm