Samsung Semiconductor CIB21P150NE
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CIB21P150NE
2107-CIB21P150NE
铁氧体磁珠和芯片
0805
大陆
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CIB21P150NE datasheet pdf and Ferrite Beads and Chips product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
CIB21P150NE详情
Samsung Semiconductor CIB21P150NE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
0805
Material-Core
Ferrite
包装
Tape & Reel (TR)
容差
25%
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
深度
1.25mm
阻抗
15Ohm
最大直流电流
2A
直流电阻(DCR)-并联
10mOhm
行数
1
最大额定电流
2A
高度
1.0922mm
长度
2.0066mm
宽度
1.2446mm
RoHS状态
符合RoHS标准
CIB21P150NE拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung
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