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Samsung Semiconductor CIB21P150NE

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型号

CIB21P150NE

品牌

Samsung Semiconductor

utmel 编号

2107-CIB21P150NE

商品类别

铁氧体磁珠和芯片

封装

0805

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

CIB21P150NE datasheet pdf and Ferrite Beads and Chips product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel

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CIB21P150NE Samsung Semiconductor

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CIB21P150NE详情

技术参数

Samsung Semiconductor CIB21P150NE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    0805

  • Material-Core

    Ferrite

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 容差

    25%

  • 最高工作温度

    125°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 深度

    1.25mm

  • 阻抗

    15Ohm

  • 最大直流电流

    2A

  • 直流电阻（DCR）-并联

    10mOhm

  • 行数

    1

  • 最大额定电流

    2A

  • 高度

    1.0922mm

  • 长度

    2.0066mm

  • 宽度

    1.2446mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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公司资质

ISO13485
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DUNS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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