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Samsung Semiconductor CIL21Y6R8KNE

Name: CIL21Y6R8KNE
Brand: Samsung Semiconductor
SKU: 2107-CIL21Y6R8KNE
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CIL21Y6R8KNE

品牌

Samsung Semiconductor

utmel 编号

2107-CIL21Y6R8KNE

商品类别

固定电感器

封装

0805

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Inductor Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 50Q-Factor Ferrite 15mA 600mOhm DCR 0805 Embossed T/R

起订量

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CIL21Y6R8KNE Samsung Semiconductor Inductor Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 50Q-Factor Ferrite 15mA 600mOhm DCR 0805 Embossed T/R

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CIL21Y6R8KNE详情

技术参数

Samsung Semiconductor CIL21Y6R8KNE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

0805
Frequency-Self-Resonant

29MHz
Material-Core

Ferrite
Operating Temperature (Max)

125°C
Operating Temperature (Min)

-55°C
容差

10%
额定电流

15mA
屏蔽/屏蔽

Shielded
深度

1.45mm
军用标准

Not
电感,电感

6.8 μH
测试频率

4MHz
直流电阻（DCR）-并联

600mOhm
直流电

15mA
最大直流驱动电流（If）

15mA
高度

1.45mm
长度

2.2mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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