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CIL21Y6R8KNE
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Samsung Semiconductor CIL21Y6R8KNE

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型号

CIL21Y6R8KNE

品牌

Samsung Semiconductor

utmel 编号

2107-CIL21Y6R8KNE

商品类别

固定电感器

封装

0805

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Inductor Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 50Q-Factor Ferrite 15mA 600mOhm DCR 0805 Embossed T/R

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CIL21Y6R8KNE
CIL21Y6R8KNE Samsung Semiconductor Inductor Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 50Q-Factor Ferrite 15mA 600mOhm DCR 0805 Embossed T/R

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CIL21Y6R8KNE详情

技术参数

Samsung Semiconductor CIL21Y6R8KNE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    0805

  • Frequency-Self-Resonant

    29MHz

  • Material-Core

    Ferrite

  • Operating Temperature (Max)

    125°C

  • Operating Temperature (Min)

    -55°C

  • 容差

    10%

  • 额定电流

    15mA

  • 屏蔽/屏蔽

    Shielded

  • 深度

    1.45mm

  • 军用标准

    Not

  • 电感,电感

    6.8 μH

  • 测试频率

    4MHz

  • 直流电阻（DCR）-并联

    600mOhm

  • 直流电

    15mA

  • 最大直流驱动电流（If）

    15mA

  • 高度

    1.45mm

  • 长度

    2.2mm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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