Samsung Semiconductor K4B1G1646G-BCNB0
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K4B1G1646G-BCNB0
2107-K4B1G1646G-BCNB0
集成电路(IC)
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K4B1G1646G-BCNB0详情
Samsung Semiconductor K4B1G1646G-BCNB0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
96
Manufacturer Part Number
K4B1G1646G-BCNB0
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA96,9X16,32
Risk Rank
5.72
Access Time-Max
0.18 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
1066 MHz
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
95 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA96,9X16,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
96
JESD-30代码
R-PBGA-B96
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.575 V
电源
1.5 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.425 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
长度
13.3 mm
宽度
7.5 mm
K4B1G1646G-BCNB0拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
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