MR18R162GEG0-CM8
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Samsung Semiconductor MR18R162GEG0-CM8

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型号

MR18R162GEG0-CM8

utmel 编号

2107-MR18R162GEG0-CM8

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

INSTOCK

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1最小包装量--

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MR18R162GEG0-CM8 Samsung Semiconductor INSTOCK

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MR18R162GEG0-CM8详情

Samsung Semiconductor MR18R162GEG0-CM8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    184

  • Manufacturer Part Number

    MR18R162GEG0-CM8

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Part Package Code

    DMA

  • Package Description

    DIMM, DIMM184,40

  • Risk Rank

    5.82

  • Access Time-Max

    40 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    800 MHz

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words

    268435456 words

  • Number of Words Code

    256000000

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Code

    DIMM

  • Package Equivalence Code

    DIMM184,40

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    微电子组件

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    2.5 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    自动刷新

  • HTS代码

    8542.32.00.36

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    184

  • JESD-30代码

    R-XDMA-N184

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.63 V

  • 电源

    1.8/2.5,2.5 V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.37 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    256MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    18

  • 记忆密度

    4831838208 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    RAMBUS DRAM MODULE

  • 访问模式

    BLOCK ORIENTED PROTOCOL

  • 自我刷新

    YES

0个相似型号

MR18R162GEG0-CM8拓展信息

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