K4D26323QG-VC2AT
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Samsung Semiconductor K4D26323QG-VC2AT

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型号

K4D26323QG-VC2AT

utmel 编号

2107-K4D26323QG-VC2AT

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FBGA, BGA144,12X12,32

起订量

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K4D26323QG-VC2AT
K4D26323QG-VC2AT Samsung Semiconductor FBGA, BGA144,12X12,32

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K4D26323QG-VC2AT详情

Samsung Semiconductor K4D26323QG-VC2AT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    144

  • Manufacturer Part Number

    K4D26323QG-VC2AT

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Package Description

    FBGA, BGA144,12X12,32

  • Risk Rank

    5.75

  • Access Time-Max

    0.55 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    350 MHz

  • Number of Words

    4194304 words

  • Number of Words Code

    4000000

  • Operating Temperature-Max

    65 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    FBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA144,12X12,32

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    GRID ARRAY, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B144

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.8 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电流-最大值

    0.44 mA

  • 组织结构

    4MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    32

  • 待机电流-最大值

    0.01 A

  • 记忆密度

    134217728 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    4096

  • 顺序突发长度

    2,4,8

  • 交错突发长度

    2,4,8

0个相似型号

K4D26323QG-VC2AT拓展信息

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