K7D321874C-HC33
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Samsung Semiconductor K7D321874C-HC33

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型号

K7D321874C-HC33

utmel 编号

2107-K7D321874C-HC33

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

K7D321874C-HC33 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel

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K7D321874C-HC33详情

Samsung Semiconductor K7D321874C-HC33重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    153

  • Package Description

    BGA, BGA153,9X17,50

  • Package Style

    网格排列

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    2000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA153,9X17,50

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    K7D321874C-HC33

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    333 MHz

  • Number of Words

    2097152 words

  • Package Code

    BGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    三星半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.92

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B153

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.8/2.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.55 mA

  • 组织结构

    2MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    18

  • 待机电流-最大值

    0.3 A

  • 记忆密度

    37748736 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    1.7 V

0个相似型号

K7D321874C-HC33拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS