Samsung Semiconductor KSB834-Y
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KSB834-Y
2107-KSB834-Y
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
KSB834-Y详情
Samsung Semiconductor KSB834-Y重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of module
thyristor
Semiconductor structure
common cathode,
Max. off-state voltage
1.8kV
Version
A72
Case
SEMIPACK1
Max. forward voltage
1.65V
Max. forward impulse current
2kA
Gate current
150mA
Electrical mounting
FASTON connectors,
Mechanical mounting
screw
Gross weight
120 g
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
SFM
Package Description
TO-220, 3 PIN
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Transition Frequency-Nom (fT)
9 MHz
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-220AB
Load current
95A
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
60 V
VCEsat-最大值
1 V
环境耗散-最大值
30 W
KSB834-Y拓展信息
Samsung
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