Samsung Semiconductor SFR9214
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SFR9214
2107-SFR9214
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 1.53A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
1最小包装量--
SFR9214详情
Samsung Semiconductor SFR9214重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
1.53 A
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Transferred
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6.1 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
雪崩能量等级(Eas)
102 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
19 W
SFR9214拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
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Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
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