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Samsung Semiconductor SSH5N80A

Name: SSH5N80A
Brand: Samsung Semiconductor
SKU: 2107-SSH5N80A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SSH5N80A

品牌

Samsung Semiconductor

utmel 编号

2107-SSH5N80A

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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SSH5N80A Samsung Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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SSH5N80A详情

技术参数

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Samsung Semiconductor SSH5N80A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code

TO-3P
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)

5 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

2.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A
DS 击穿电压-最小值

800 V
雪崩能量等级（Eas）

333 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

160 W

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SSH5N80A拓展信息

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