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Samsung Semiconductor SSD2009

Name: SSD2009
Brand: Samsung Semiconductor
SKU: 2107-SSD2009
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SSD2009

品牌

Samsung Semiconductor

utmel 编号

2107-SSD2009

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SSD2009 Samsung Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SSD2009详情

技术参数

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Samsung Semiconductor SSD2009重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code

SOT
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)

3 A
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.13 Ω
DS 击穿电压-最小值

50 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

2 W

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