SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC IRF9Z32

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15A

漏极-源极导通最大电阻

0.21Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

DS 击穿电压-最小值

50V

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

74W

关断时间-最大值（toff)

128ns

接通时间-最大值(ton)

188ns

环境耗散-最大值

74W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant