SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC K6R4008V1D-KI10

表面安装

YES

终端数量

36

Operating Temperature (Max.)

85°C

Operating Temperature (Min.)

-40°C

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn97Bi3)

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

电源电压

3.3V

端子间距

1.27mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-J36

资历状况

不合格

电源

3.3V

温度等级

INDUSTRIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.075mA

组织结构

512KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.005A

记忆密度

4194304 bit

访问时间（最大）

10 ns

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3V

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

compliant