SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC K6T1008C2E-DB70

表面安装

NO

终端数量

32

Operating Temperature (Max.)

70°C

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

5V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.05mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08mm

内存宽度

8

记忆密度

1048576 bit

访问时间（最大）

70 ns

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2V

长度

41.91mm

宽度

15.24mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant