SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KSE13005F

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

转换频率

4MHz

最大耗散功率(Abs)

30W

集电极电流-最大值(IC)

4A

最小直流增益（hFE）

8

集电极-发射器电压-最大值

400V

VCEsat-最大值

1 V

关断时间-最大值（toff)

4900ns

接通时间-最大值(ton)

800ns

环境耗散-最大值

30W