SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KSE181

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-126

转换频率

50MHz

最大耗散功率(Abs)

12.5W

集电极电流-最大值(IC)

3A

最小直流增益（hFE）

12

集电极-发射器电压-最大值

60V