SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC SSU1N50A

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.3A

漏极-源极导通最大电阻

5.5Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

113 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

26W