参数名
参数值
参数名
参数值
包装/外壳
TO-77-6
表面安装
NO
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Mounting Styles
通孔
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
350 mV
Maximum DC Collector Current
10 mA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
60 at 10 uA, 5 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
60 MHz
Manufacturer Part Number
BFY81
Package Shape
ROUND
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SEMELAB LTD
Risk Rank
5.24
Part Package Code
TO-77
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
O-MBCY-W6
资历状况
不合格
配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
MO-002AF
集电极基极电压(VCBO)
45 V
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
150
集电极-发射器电压-最大值
45 V