D1017UK详情
Seme LAB D1017UK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
螺钉安装
包装/外壳
DM
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements per Chip
1
Package Type
DM
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
30 A
Brand
Semelab / TT Electronics
Manufacturer
TT Electronics
Mounting Styles
SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
25
Unit Weight
0.692207 oz
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Transistor Polarity
N-Channel
Pd - Power Dissipation
220 W
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 7 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
70 V
Package Description
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
D1017UK
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SEMELAB LTD
Risk Rank
5.04
系列
TetraFET
JESD-609代码
e4
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
射频功率MOSFET
端子表面处理
GOLD
附加功能
低噪音
子类别
MOSFETs
技术
Si
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
不合格
工作频率
175 MHz
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
150 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
射频MOSFET晶体管
晶体管类型
DMOS FET
增益
13 dB
DS 击穿电压-最小值
70 V
信道型
N
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
产品类别
射频MOSFET晶体管
宽度
6.35mm
高度
6.6mm
长度
24.76mm
D1017UK拓展信息








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