D1028UK详情
Seme LAB D1028UK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
螺钉安装
包装/外壳
DR
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements per Chip
2
Package Type
DR
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Channel Mode
Enhancement
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
70 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 7 V
Pd - Power Dissipation
438 W
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Unit Weight
1.316671 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
TT Electronics
Brand
Semelab / TT Electronics
Id - Continuous Drain Current
30 A
Package Description
CERAMIC, DR, 5 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
D1028UK
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TT ELECTRONICS PLC
Risk Rank
5.14
系列
TetraFET
ECCN 代码
EAR99
类型
射频功率MOSFET
附加功能
低噪音
子类别
MOSFETs
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
5
JESD-30代码
R-CDFM-F4
资历状况
不合格
工作频率
175 MHz
配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
300 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
射频MOSFET晶体管
晶体管类型
DMOS FET
增益
13 dB
DS 击穿电压-最小值
70 V
信道型
N
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
产品类别
射频MOSFET晶体管
宽度
10.16mm
高度
5.08mm
长度
34.03mm
D1028UK拓展信息








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