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Seme LAB D1029UK

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型号

D1029UK

品牌

Seme LAB

utmel 编号

2155-D1029UK

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 70V 35A 5-Pin Case DR

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D1029UK Seme LAB Trans RF MOSFET N-CH 70V 35A 5-Pin Case DR

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D1029UK详情

Seme LAB D1029UK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    螺钉安装

  • 底架

    Panel

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    5

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Drain Source Voltage (Max)

    70(V)

  • Continuous Drain Current

    35(A)

  • Power Gain (Typ)@Vds

    13(MIN)@28V(dB)

  • Package Type

    CASE DR

  • Input Capacitance (Typ)@Vds

    420(MAX)@28V(pF)

  • Operating Temp Range

    -65C to 200C

  • Power Dissipation (Max)

    438000(mW)

  • Output Power (Max)

    350

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Drain Efficiency (Typ)

    65(MIN)(%)

  • Number of Elements

    2

  • Frequency(Max)

    200(MHz)

  • Rad Hardened

  • Mounting

    Screw

  • Number of Elements per Chip

    2

  • Maximum Operating Temperature

    +200 °C

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    D1029UK

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SEMELAB LTD

  • Risk Rank

    5.11

  • Usage Level

    Military grade

  • 系列

    TetraFET

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 应用

    VHF/UHF

  • 附加功能

    低噪音

  • 最大功率耗散

    438 W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    5

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    35 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 筛选水平

    Military

  • 输入电容

    420 pF

  • DS 击穿电压-最小值

    70 V

  • 信道型

    N

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最高频段

    超高频段

  • 频率(分钟)

    1(MHz)

  • 宽度

    10.16mm

  • 高度

    5.08mm

  • 长度

    34.03mm

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