Semelab D2203UK

包装/外壳

DQ

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Drain Source Voltage (Max)

40(V)

Continuous Drain Current

2(A)

Power Gain (Typ)@Vds

10(MIN)@12.5V(dB)

Package Type

CASE DQ

Input Capacitance (Typ)@Vds

12(MAX)@12.5V(pF)

Operating Temp Range

-65C to 200C

Power Dissipation (Max)

35000(mW)

Output Power (Max)

5

Channel Mode

Enhancement

Drain Efficiency (Typ)

40(Min)(%)

Number of Elements

2

Frequency(Max)

1000(MHz)

Rad Hardened

无

Mounting

Screw

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V to 7 V

Pd - Power Dissipation

35 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Unit Weight

0.273179 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

25

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

TT Electronics

Brand

Semelab / TT Electronics

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

2 A

Package Description

FLANGE MOUNT, S-CDFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

D2203UK

Package Shape

SQUARE

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMELAB LTD

Risk Rank

5.11

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e4

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

端子表面处理

GOLD

应用

VHF/UHF

附加功能

低噪音

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

S-CDFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

1 GHz

配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

输出功率

5 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

晶体管类型

DMOS FET

增益

10 dB

筛选水平

Military

DS 击穿电压-最小值

40 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

超高频段

频率(分钟)

1(MHz)

产品类别

射频MOSFET晶体管