SK15GH066
SK15GH066

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

SEMIKRON SK15GH066

  • 收藏
  • 对比

型号

SK15GH066

品牌

SEMIKRON

utmel 编号

2163-SK15GH066

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor,

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
SK15GH066
SK15GH066 SEMIKRON Insulated Gate Bipolar Transistor,

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SK15GH066详情

SEMIKRON SK15GH066重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    4

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    203 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    18 ns

  • Ihs Manufacturer

    SEMIKRON INTERNATIONAL

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    UL 认证

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X8

  • 配置

    BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极电流-最大值(IC)

    24 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    1.9 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5 V

0个相似型号

技术文档: SEMIKRON SK15GH066.

SK15GH066拓展信息

SKM400GAL12F4
SKM400GAL12F4

Semikron

SKM150GB12F4G
SKM150GB12F4G

Semikron

SKM75GB12F4
SKM75GB12F4

Semikron

SKM400GB12F4
SKM400GB12F4

Semikron

SKM75GAR101D
SKM75GAR101D

SEMIKRON

SKIIP03AC066V1
SKD116/12-L75
SKD116/12-L75

SEMIKRON

SKM75GAR121D
SKM75GAR121D

SEMIKRON

SKM450GM12E4
SKM450GM12E4

SEMIKRON

SKM200GB176DH10
索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z