SKM600GB12E4
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SEMIKRON SKM600GB12E4

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型号

SKM600GB12E4

品牌

SEMIKRON

utmel 编号

2163-SKM600GB12E4

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SKM600GB12E4
SKM600GB12E4 SEMIKRON Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SKM600GB12E4详情

SEMIKRON SKM600GB12E4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SEMIKRON INTERNATIONAL

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    660 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    224 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    UL 认证

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极电流-最大值(IC)

    860 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.05 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5 V

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技术文档: SEMIKRON SKM600GB12E4.

SKM600GB12E4拓展信息

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SKM300GB12F4
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