GCMS040B120S1-E1
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SemiQ GCMS040B120S1-E1

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型号

GCMS040B120S1-E1

品牌

SemiQ

utmel 编号

2165-GCMS040B120S1-E1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

起订量

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GCMS040B120S1-E1
GCMS040B120S1-E1 SemiQ SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

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GCMS040B120S1-E1详情

SemiQ GCMS040B120S1-E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 安装类型

    底座安装

  • 供应商器件包装

    SOT-227

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Mounting Styles

    螺钉安装

  • Pd - Power Dissipation

    242 W

  • Power Dissipation (Max)

    242W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    52 mOhms

  • Typical Turn-Off Delay Time

    21 ns

  • Typical Turn-On Delay Time

    15 ns

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    25 V

  • Package

    Tube

  • 厂商

    SemiQ

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    20V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    57A (Tc)

  • Base Product Number

    GCMS040

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 类型

    COPACK Power Module

  • 子类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 技术

    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    52mOhm @ 40A, 20V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 10mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3110 pF @ 1000 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    124 nC @ 20 V

  • 上升时间

    5 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200 V

  • Vgs(最大值)

    +25V, -10V

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 场效应管特性

    -

  • 产品

    功率MOSFET模块

  • Vf-正向电压

    1.52 V

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GCMS040B120S1-E1拓展信息

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