Semtech JANTX1N6112A

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

G 型外壳

Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Part # Aliases

JTX1N6112A

Manufacturer

Semtech

Brand

Semtech

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

1N6112

厂商

Semtech Corporation

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX1N6112A

Power Dissipation (Max)

3 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.99

Usage Level

Military grade

操作温度

-65 to 175 °C

系列

JANTX1N611

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

测试电流

65 mA

产品类别

ESD抑制器

Rep Pk反向电压-最大值

13.7 V

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

17.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes