Semtech JANTXV1N6139A

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

77.9 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Ipp - Peak Pulse Current

13.3 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Part # Aliases

JTXV1N6139A

Package

Bulk

Base Product Number

1N6139

厂商

Semtech Corporation

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV1N6139A

Power Dissipation (Max)

3 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.06

系列

JANTXV1N613

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

工作电压

62.2 V

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

箝位电压

112.8 V

Rep Pk反向电压-最大值

5.7 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

7.13 V