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技术文档
型号
JAN1N6170
品牌
Semtech Corporation
utmel 编号
2169-JAN1N6170
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
T DAP BI 1500W 135V
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JAN1N6170详情
技术参数
PDF文档
Semtech Corporation JAN1N6170重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
22 Weeks
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
150V
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
Operating Temperature (Min.)
-65°C
Power Dissipation (Max)
7.5W
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低阻抗
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
基本部件号
1N6170
参考标准
MIL-19500/516
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Qualified
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
ISOLATED
Rep Pk反向电压-最大值
114V
最大非代表峰值转速功率Dis
1500W
反向电流-最大值
5μA
击穿电压-最小值
135.375V
最大箝位电压
216.615V
技术文档: Semtech Corporation JAN1N6170.
JAN1N6170拓展信息
公司资质
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